常州江蘇大學(xué)工程技術(shù)研究院
Changzhou Engineering and Technology Institute of Jiangsu University
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一、項(xiàng)目成果簡(jiǎn)介
本項(xiàng)目基于40nm CMOS工藝制備了一款300GHz太赫茲直接探測(cè)器芯片,該芯片集成了太赫茲片上天線和放大器,在太赫茲輻射源的照射下,可有效的實(shí)現(xiàn)太赫茲信號(hào)探測(cè)。
芯片顯微照片
二、性能指標(biāo)
該探測(cè)器在300GHz太赫茲輻射源照射下,最大電壓響應(yīng)度為40kV/W,噪聲等效功率為62.5pW/Hz1/2。
三、適用范圍、市場(chǎng)前景
本項(xiàng)目所設(shè)計(jì)的300GHz太赫茲探測(cè)器芯片有效提高了探測(cè)器的電壓響應(yīng)度,在6G通信、雷達(dá)探測(cè)、生物醫(yī)療檢測(cè)、工業(yè)和農(nóng)業(yè)無(wú)損檢測(cè)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
四、投資概算
人民幣300萬(wàn)元。
五、合作方式
轉(zhuǎn)讓、轉(zhuǎn)讓加提成、合作生產(chǎn)。
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