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一、項(xiàng)目成果簡(jiǎn)介

本項(xiàng)目基于0.18um CMOS工藝制備了一款多頻段太赫茲探測(cè)器芯片，通過多環(huán)嵌套的方式分別設(shè)計(jì)了圓形、菱形和單雙環(huán)形片上天線，實(shí)現(xiàn)了頻率在280GHz、290GHz、320GHz、600GHz以及806GHz的太赫茲信號(hào)探測(cè)。

芯片顯微照片

二、性能指標(biāo)

帶雙環(huán)片上天線的探測(cè)器（Detector1）電壓響應(yīng)度為366.6V/W，噪聲等效功率為0.578nW/Hz1/2，帶圓形開槽片上天線的探測(cè)器（Detector2）電壓響應(yīng)度為1286.6V/W，噪聲等效功率為0.211nW/Hz1/2，帶菱形片上天線的探測(cè)器（Detector3）電壓響應(yīng)度為366.3V/W，噪聲等效功率為0.594nW/Hz1/2，帶單環(huán)差分片上天線的探測(cè)器（Detector4）電壓響應(yīng)度為701.2V/W，噪聲等效功率為0.261nW/Hz1/2。

三、適用范圍、市場(chǎng)前景

本項(xiàng)目所設(shè)計(jì)的多頻段太赫茲探測(cè)器芯片解決了傳統(tǒng)太赫茲探測(cè)器體積龐大、探測(cè)頻段單一等問題，在雷達(dá)探測(cè)、生物醫(yī)療檢測(cè)、工業(yè)和農(nóng)業(yè)無損檢測(cè)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

四、投資概算

300萬元。

五、合作方式

轉(zhuǎn)讓、轉(zhuǎn)讓加提成、合作生產(chǎn)。