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本發(fā)明涉及神經(jīng)突觸網(wǎng)絡(luò)技術(shù)領(lǐng)域，特指一種具有記憶功能的神經(jīng)突觸網(wǎng)絡(luò),。根據(jù)電容充放電存儲信息的原理,，給晶體管施加電壓,， 使晶體管導(dǎo)通對電路中的電容進(jìn)行充電,， 并通過對該種晶體管進(jìn)行 n× n 陣列形式排布，形成具有記憶功能的神經(jīng)突觸網(wǎng)絡(luò),。 其中利用氧化鎢作為薄膜晶體管的柵介質(zhì)層,， IZO 作為溝道層實(shí)現(xiàn)雙電層突觸晶體管的制作。 對雙電層突觸晶體管進(jìn)行 n× n 陣列形式排布,，通過電路連接形成具有記憶功能的神經(jīng)突觸網(wǎng)絡(luò),。

  本發(fā)明屬于三級專利，希望能運(yùn)用于存儲,、計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域,，可與高企、集成電路元器件方向的企業(yè)合作,。